EMIB+玻璃基板+金刚石 陈立武谈英特尔芯片业务:在材料层面寻求突破

1个月前 (06-19)财经热点4

  无独有偶,No Priors播客在近日发布了一期与英特尔现任CEO陈立武的对话。其谈及代工业务时表示,美国本土先进制造对于供应链安全具有战略价值,任何大型

  陈立武坦言财经热点,英特尔最先进工艺18A已达到1.4纳米级别,目前正在规划1纳米、0.7纳米。随着工艺节点越来越小,这条道路会越来越昂贵、越来越困难。“另一个正在成为瓶颈的关键领域是先进封装。我们有一个叫做EMIB的下一代方案,我必须确保它能在量产阶段达到客户要求的良率。”他补充道。

  陈立武表示:“当传统微缩技术开始遭遇瓶颈时,我便着手从材料层面寻找突破方向。”他在氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、磷化铟(InP)三大领域均有布局,其中部分投资标的已被ADI等大型企业收购。此外,他还投资了一家人造金刚石晶圆公司,看好钻石作为散热材料在芯片封装领域的应用潜力。

  在封装材料领域,陈立武指出,英特尔投资了玻璃基板公司3DGS,看中玻璃作为散热绝缘材料的独特性能;在芯片间互连方面,英特尔正主推下一代技术EMIB,并已宣布在印度和美国新墨西哥州推进制造合作项目。

  在此之前,英特尔与SK海力士合作开展2.5D封装技术的研究与开发,双方拟将HBM和系统与EMIB嵌入式基板结合使用。

  据业界消息,英特尔目前正面向全球供应链合作伙伴推进大规模材料采购订单,多项供应合同已签订完成。一位熟悉内情的业内人士表示:“英特尔目前在推进EMIB技术升级,包括在桥接结构中引入硅通孔(TSV)技术的EMIB-T,以及融合的封装方案。 ”

  值得一提的是,英特尔近日在其新闻中心宣布,已任命SK海力士前CEO李锡熙为英特尔晶圆代工事业部执行副总裁。其将致力于推动先进封装技术的量产,包括嵌入式多芯片互连桥(EMIB-T)等2.5D封装技术以及下一代3D工艺高密度混合键合(HBI)技术。

  谈及英特尔的十年愿景,陈立武表示:“英特尔的体量大,难以复制,但我的目标是10倍,在5到10年内实现10倍回报。”EMIB+玻璃基板+金刚石 陈立武谈英特尔芯片业务:在材料层面寻求突破

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