存储芯片材料大迁移：钨开始退场，钼成新宠！芯片行业迎来重大变革，钨被钼取代。SK海力士计划在年底量产375层闪存，而三星早已采用这一技术，这标志着金属材料涨价的开始，普通人的硬盘速度也将因此提升。

　　最近股市中“家里有矿”的公司股价飙升，翔鹭钨业、金钼股份涨停，小金属板块暴涨近5%。背后的原因是韩国芯片制造商SK海力士将芯片内部的关键材料从钨换成钼。这种变化类似于高速公路从水泥路升级为柏油路，不仅提升了传输速度还提高了效率。这一变动使钼这种长期闲置的金属一夜之间成为半导体行业的热门材料。

　　事情源于SK海力士即将量产的375层闪存芯片。虽然增加层数是常见的技术升级，但这次涉及的问题复杂。NAND闪存芯片的核心在于存储单元的堆叠。SK海力士原本打算直接达到400层，但由于技术难度最终选择了375层。关键问题在于连接各层的“字线”。以前使用钨作为材料，在低层数和粗线路下尚可，但在极细尺度下，钨的电阻大幅上升，影响信号传输速度并产生热量。此外，钨需要额外的阻挡层，占用大量空间，限制了芯片密度。

　　因此，SK海力士决定用钼替代钨。钼在同样细的线路下电阻更低，电流传输更快，读写速度显著提升。而且钼不需要阻挡层，节省空间，增加了存储单元密度。这一改变解决了高层数芯片量产的技术难题。

　　然而，将钼引入芯片制造并不容易。钼在常温下是固态，必须通过高温加热变成气体才能填充到芯片内部。SK海力士为此选择了东京电子的炉式设备，能够一次性处理100片晶圆，提高效率并降低成本。同时，他们与液化空气集团、英特格和默克等化工巨头合作，确保钼的供应热点话题，并考虑扶持韩国本土供应商SK Specialty。存储芯片材料大迁移：钨开始退场，钼成新宠