我国科研团队在二维半导体领域获进展 突破大尺寸薄膜制备难题！随着硅基芯片性能逼近物理极限热点话题，全球科学家正在寻找替代方案，以二硫化钼为代表的二维半导体成为研究热点。南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作，在国际顶级学术期刊《科学》上发表论文，介绍了一种创新的“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，解决了大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。

　　二硫化钼电学性能优异，但要替代硅基材料并不容易。作为后来者，二硫化钼需要适应现有半导体产线的成熟工艺，即金属有机化学气相沉积技术。在这一过程中，金属有机前驱体受热分解，反应产物附着在衬底表面形成二硫化钼薄膜。然而，传统方法存在生长速率慢和含碳杂质的问题，严重影响薄膜质量。

　　为解决这些问题，研究团队经过多年努力，提出引入氧气辅助的方法。氧气在高温环境下与前驱体中的碳元素结合，减少了碳污染。通过这种方法，团队成功试制了6英寸二硫化钼薄膜，实验结果显示，薄膜生长速率较传统方法提升了两到三个数量级。

　　目前，团队已掌握了二维半导体衬底工程和动力学调控等产业化关键技术。由于硅基半导体产线英寸薄膜，团队正加紧研发新型气相沉积设备，下一步将尝试规模化制备12英寸二硫化钼薄膜。此次研究攻克了传统金属有机化学气相沉积技术长期难以解决的动力学限制与碳污染难题，对加快推动二维半导体从实验室走向生产线具有重要意义。我国科研团队在二维半导体领域获进展 突破大尺寸薄膜制备难题！我国科研团队在二维半导体领域获进展 突破大尺寸薄膜制备难题