激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光

　　高性能光芯片产品方面，拥有EML、VCSEL、CW Laser三种类型的光芯片。公司100G EML已实现量产，200G EML已开始送样。100G VCSEL、100mW CW DFB和70mW CWDM4 DFB芯片已达到量产出货水平。同时，公司还超前布局硅光、薄膜铌酸锂等多种技术路线。

　　的主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售。在光通信领域，公司主要产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EML激光器系列产品和50mW、70mW、100mW、150mW等大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域。

　　值得注意的是，在AI算力需求爆发的背景下，在AI市场实现大幅度增长，尤其是硅光方案所需的大功率CW激光器芯片。针对400G/800G光模块需求，公司成功量产CW 70mW激光器芯片，CW 100mW激光器产品也已通过客户验证。

　　当前，AI算力需求正以每年4倍至5倍的速度迅猛增长，对数据传输的带宽和延迟提出了更高要求。引入光互联技术，实现从电互联到光互联的架构升级，被普遍认为是AI的主流通信方案，而光芯片则是光通信产业链的核心技术环节与价值核心。

　　具体而言，在以电交换为核心的数据中心中，存在“三堵高墙”。其一为带宽墙与功耗墙，主要体现在机柜内部，随着通信速率提升，电信号损耗随之增加，直接限制单节点算力密度；其二为阻塞墙，在集群层面，服务器间通信均需经过电交换网络与核心层交换机，极易引发网络拥堵；其三为拓扑僵化墙，传统网络架构的拓扑与连接相对固定，难以满足AI训练动态多变的通信需求，进而造成算力闲置与资源低效。

　　2026年英伟达GTC大会上，针对光互联技术，创始人兼首席执行官黄仁勋展示了全球首款量产的共封装光学（CPO）交换机Spectrum X。同时，黄仁勋在介绍其技术路线图时表示，铜缆扩展、节点内的光学扩展（Scale-Up）、节点间的光学扩展（Scale-Out）三条路线会并行推进，缆、光纤和CPO方面的合作方须持续扩产。光芯片双雄逆势大涨