表示，其HBM4产线已于今年第一季度开始量产并出货，首批产品为36GB的12层堆叠（12-high）版本，专为Vera Rubin平台打造。该公司表示，HBM4相比上一代HBM3E提升约2.3倍，同时功耗效率提升超过20%。

　　此外，表示，目前已向客户提供了16层堆叠（16-high）48GB HBM4的早期样品。与12层版本相比，该型号单颗容量提升33%，能够进一步提升单个HBM位置的可用内存容量。美光科技开始为英伟达量产HBM4内存